IBM anuncia grandes cambios en memorias RAM
La semana pasada anunciábamos los desarrollos tecnológicos en producción de procesadores a la cabeza de Intel, hoy el turno es para IBM con el anuncio de un nuevo desarrollo tecnológico en la producción de memoria RAM.
El tema en concreto es que esta semana IBM anunció un avance tecnológico en el desarrollo de memorias para computador, que puede conducir al desarrollo de chips de memoria en estado sólido permitiendo almacenar datos como las actuales memorias tipo flash Nand, pero con 100 veces más rendimiento y vida útil.
En la actualidad los productos de memoria Nand pueden escribir a velocidades muy altas, técnicamente hablando estamos refiriéndonos a una velocidad de 2Gbit/Sec, es decir dos gigabit en un segundo.
Al igual que la memoria flash Nand, que se utiliza en unidades de estado sólido (SSD) y está integrado en los ordenadores como el MacBook Air de Apple, PCM es volátil - lo que significa que conserva los datos después de que su fuente de alimentación está apagada.
A diferencia de Nand flash, la memoria del PCM no requiere que los datos existentes se marquen para su eliminación antes de que nuevos datos se escriben en él - un proceso conocido como un ciclo de borrado y escritura. La tecnología PCM es capaz de soportar ciclos de escritura de al menos 10 millones de uso, lo que supone un importante salto cualitativo frente al actual nivel de 30.000 ciclos soportados por los chips de memoria Flash actual.
Como las organizaciones y los consumidores cada vez más abarcan los servicios y modelos de cloud computing, y estos a su vez cada vez son más potentes y eficientes, se hace necesario tecnologías de bajo costo de almacenamiento.
Los equipos de científicos de IBM han estado probando un multi-level cell (MLC), chip que es capaz de almacenar datos de manera superior, consiguiendo demostrar que las memorias de cambio de fase pueden almacenar múltiples bits de datos por celda durante largos períodos de tiempo sin que esta información se pierda, alcanzando un nivel de fiabilidad que es adecuado para aplicaciones prácticas de alto rendimiento.
La nueva tecnología podría ser considerada como aire renovado de cara a la industria informática y a la infraestructura y tecnología de almacenamiento, que requiere de nuevos avances en este sentido. Con la combinación de velocidad, resistencia, soluciones no volátiles y gran densidad, la tecnología PCM de IBM puede suponer una auténtica realidad en los sistemas de almacenamiento y appliance dentro de los próximos cinco años. Este importante avance también permite conseguir memorias más duraderas fabricadas a partir de procesos menos costosos. Fuente: www.computerworld.com
En la actualidad los productos de memoria Nand pueden escribir a velocidades muy altas, técnicamente hablando estamos refiriéndonos a una velocidad de 2Gbit/Sec, es decir dos gigabit en un segundo.
Al igual que la memoria flash Nand, que se utiliza en unidades de estado sólido (SSD) y está integrado en los ordenadores como el MacBook Air de Apple, PCM es volátil - lo que significa que conserva los datos después de que su fuente de alimentación está apagada.
A diferencia de Nand flash, la memoria del PCM no requiere que los datos existentes se marquen para su eliminación antes de que nuevos datos se escriben en él - un proceso conocido como un ciclo de borrado y escritura. La tecnología PCM es capaz de soportar ciclos de escritura de al menos 10 millones de uso, lo que supone un importante salto cualitativo frente al actual nivel de 30.000 ciclos soportados por los chips de memoria Flash actual.
Como las organizaciones y los consumidores cada vez más abarcan los servicios y modelos de cloud computing, y estos a su vez cada vez son más potentes y eficientes, se hace necesario tecnologías de bajo costo de almacenamiento.
Los equipos de científicos de IBM han estado probando un multi-level cell (MLC), chip que es capaz de almacenar datos de manera superior, consiguiendo demostrar que las memorias de cambio de fase pueden almacenar múltiples bits de datos por celda durante largos períodos de tiempo sin que esta información se pierda, alcanzando un nivel de fiabilidad que es adecuado para aplicaciones prácticas de alto rendimiento.
La nueva tecnología podría ser considerada como aire renovado de cara a la industria informática y a la infraestructura y tecnología de almacenamiento, que requiere de nuevos avances en este sentido. Con la combinación de velocidad, resistencia, soluciones no volátiles y gran densidad, la tecnología PCM de IBM puede suponer una auténtica realidad en los sistemas de almacenamiento y appliance dentro de los próximos cinco años. Este importante avance también permite conseguir memorias más duraderas fabricadas a partir de procesos menos costosos. Fuente: www.computerworld.com
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